1)第284章 华国的布局_直播在荒野手搓核聚变
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  第284章华国的布局

  在通过弹幕了解到国内的厂商直接和岛国杠起来后,韩元并没有多说什么,而是转身继续完成制备单晶硅。

  不过却有细心的观众和各国的专家们发现这名主播的讲解,似乎详细了不少。

  “‘化学气相沉积-硅核心外延法’制备单晶硅最主要的方式一般是两种。”

  “第一种是‘四氯化硅氢还原法’。”

  “之前看过我制备碳化硅晶材的朋友应该就知道,‘四氯化硅氢还原法’是制取高纯度多晶硅的一种方法。”

  “但事实上它同样是可以用来制备单晶硅的。”

  “不过我今天使用的并非这个,而是第二种‘硅烷热分解法’。”

  “相对于‘四氯化硅氢还原法’来说,‘硅烷热分解法’更加简单,制备流程走的步骤也更少一些。”

  “不过有一点要注意。”

  “那就是温度。”

  “温度对硅烷外延生长速度影响不大,但对外延层质量影响很大。”

  “例如,当温度高于1100℃时,外延层的自掺杂效应较为严重,反之,若温度过低,外延层的晶体完整性差、缺陷多。”

  “实践证明:当用氢气作携带气体时,1050℃左右为最佳生长温度;影响硅烷外延生长速度的最主要因素是硅烷在氢气中的浓度,一般随着氢气中硅烷的增加,生长速度也按比例增加的.”

  “另外要注意的是,虽然硅烷热分解外延具有生长温度较低,反应机构简单,无卤化物、无自渗杂等优点。”

  “但硅烷易燃易爆,而且硅烷外延时生成的单晶硅受硅烷气体纯度的影响较大,外延层杂质的分布也比较难控制。”

  “所以如何提炼出来高纯度的硅烷气体,以及保持设备内的无尘净结是使用‘硅烷热分解法’制备单晶硅的重点。”

  “.”

  通过韩元不断的讲解,直播间里面其他的观众在一些细心观众的提示下,也逐渐发现讲解内容似乎变得更加详细了。

  像温度控制这种具体到某一个点,生长速度随着氢气携带浓度的提升而提升这种类型的细节,在以前的直播过程中是绝对没有的。

  而这一次有了。

  这让直播间里面的绝大部分观众都兴奋了起来,三朋五友的,这些观众不断在现实中呼喊自己的朋友前来观看。

  尽管他们看不懂,甚至都听不懂韩元到底在说什么,但直播间里面的观众人数依旧在迅速上涨。

  【‘三个六啊’送出烤鱼*999,主播给力!细节到位!】

  【来了来了,我最爱的环节来了。】

  【主播可以再讲详细点吗?虽然我只上过小学,但我沉迷于知识的还海洋中不可自拔。】

  【刚上幼儿园的我正拿着我的小本本在记!】

  【‘国家最不缺的就是我这种垃圾’送出飞机*1,雄起!】

  【‘周姐不说话还是可

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